Infineon CoolMOS C6 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 7,3 A 63 W, 3-Pin TO-220FP

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RS Best.-Nr.:
110-7167
Herst. Teile-Nr.:
IPA60R600C6XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

7,3 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Serie

CoolMOS C6

Gehäusegröße

TO-220FP

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

1,4 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

63 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

20,5 nC @ 10 V

Länge

10.65mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

4.9mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Höhe

16.15mm

Diodendurchschlagsspannung

0.9V

Betriebstemperatur min.

–55 °C