Infineon CoolMOS E6 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 20 A 34 W, 3-Pin TO-220 FP
- RS Best.-Nr.:
- 110-7172
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA60R190E6XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 1,764 € | 8,82 € |
| 25 - 45 | 1,676 € | 8,38 € |
| 50 - 120 | 1,508 € | 7,54 € |
| 125 - 245 | 1,354 € | 6,77 € |
| 250 + | 1,29 € | 6,45 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 110-7172
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA60R190E6XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 20 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 FP | |
| Serie | CoolMOS E6 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 440 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.5V | |
| Verlustleistung max. | 34 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Länge | 10.65mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 4.9mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 63 nC @ 10 V | |
| Höhe | 16.15mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 0.9V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 20 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Gehäusegröße TO-220 FP | ||
Serie CoolMOS E6 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 440 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.5V | ||
Verlustleistung max. 34 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Länge 10.65mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 4.9mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 63 nC @ 10 V | ||
Höhe 16.15mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 0.9V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||