Infineon OptiMOS T2 IPB180N04S400ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 180 A 300 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
110-7420
Herst. Teile-Nr.:
IPB180N04S400ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

180 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand max.

980 μΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

300 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Länge

10mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

220 nC @ 10 V

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

9.25mm

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

4.4mm

Serie

OptiMOS T2

RoHS Status: Ausgenommen

Der OptiMOS von Infineon bietet niedrige Schalt- und Leitungsverluste für einen hohen thermischen Wirkungsgrad. Es verfügt außerdem über eine optimierte Gesamt-Gate-Ladung, die kleinere Treiber-Ausgangsstufen ermöglicht.

AEC qualifiziert

Grünes Produkt

Ultra-niedrige RDS(on)

100 % Avalanche-getestet