Infineon CoolMOS C3 IPW90R1K2C3FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 5,1 A 83 W, 3-Pin TO-247

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
110-7434
Herst. Teile-Nr.:
IPW90R1K2C3FKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

5,1 A

Drain-Source-Spannung max.

900 V

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

2,5 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

83 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Breite

5.21mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

28 nC @ 10 V

Länge

16.13mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

21.1mm

Serie

CoolMOS C3

Diodendurchschlagsspannung

1.2V