Infineon BF5030WH6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET-Tetrode 8 V / 25 mA 200 mW, 4-Pin SOT-343
- RS Best.-Nr.:
- 110-7441
- Herst. Teile-Nr.:
- BF5030WH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
- BF5030WH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 25 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 8 V | |
| Gehäusegröße | SOT-343 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Channel-Modus | Depletion | |
| Verlustleistung max. | 200 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -6 V, +6 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 2mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 1.25mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Leistungsverstärkung | 34 dB | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 25 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 8 V | ||
Gehäusegröße SOT-343 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 4 | ||
Channel-Modus Depletion | ||
Verlustleistung max. 200 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -6 V, +6 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 2mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 1.25mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Höhe 0.9mm | ||
Leistungsverstärkung 34 dB | ||
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