Infineon CoolMOS E6 IPW60R190E6FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 20 A 151 W, 3-Pin TO-247

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
110-7443
Herst. Teile-Nr.:
IPW60R190E6FKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

20 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

TO-247

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

440 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

151 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

16.13mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

63 nC @ 10 V

Breite

5.21mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Diodendurchschlagsspannung

0.9V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

CoolMOS E6

Höhe

21.1mm