Infineon TEMPFET BTS282ZE3230AKSA2 N-Kanal, THT MOSFET 49 V / 80 A 300 W, 7-Pin TO-220-7
- RS Best.-Nr.:
- 110-7448
- Herst. Teile-Nr.:
- BTS282ZE3230AKSA2
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 110-7448
- Herst. Teile-Nr.:
- BTS282ZE3230AKSA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 80 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 49 V | |
| Gehäusegröße | TO-220-7 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 9,5 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V | |
| Verlustleistung max. | 300 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 155 nC @ 10 V | |
| Breite | 4.4mm | |
| Länge | 10mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.4V | |
| Serie | TEMPFET | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Höhe | 15.65mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 80 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 49 V | ||
Gehäusegröße TO-220-7 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 9,5 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.2V | ||
Verlustleistung max. 300 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 155 nC @ 10 V | ||
Breite 4.4mm | ||
Länge 10mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.4V | ||
Serie TEMPFET | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Höhe 15.65mm | ||
RoHS Status: Nicht zutreffend
