Infineon CoolMOS CFD IPP65R190CFDXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 17,5 A 151 W, 3-Pin TO-220

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
110-7490
Herst. Teile-Nr.:
IPP65R190CFDXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

17,5 A

Drain-Source-Spannung max.

700 V

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

190 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4.5V

Gate-Schwellenspannung min.

3.5V

Verlustleistung max.

151 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.57mm

Länge

10.36mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

68 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

15.95mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Diodendurchschlagsspannung

0.9V

Serie

CoolMOS CFD