Infineon OptiMOS IPD350N06LGBTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 29 A 68 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
110-7496
Herst. Teile-Nr.:
IPD350N06LGBTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

29 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

47 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

68 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

10 nC @ 5 V

Länge

6.73mm

Betriebstemperatur max.

+170 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

6.22mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Diodendurchschlagsspannung

1.3V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

2.41mm

Serie

OptiMOS

RoHS Status: Ausgenommen