Infineon CoolMOS C3 SPA11N65C3XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 11 A 33 W, 3-Pin TO-220 FP

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
110-7780
Herst. Teile-Nr.:
SPA11N65C3XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

11 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

TO-220 FP

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

380 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.9V

Gate-Schwellenspannung min.

2.1V

Verlustleistung max.

33 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

4.85mm

Länge

10.65mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

45 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Serie

CoolMOS C3

Höhe

16.15mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C