Infineon CoolMOS P6 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 20 A 151 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 110-9099P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R190P6FKSA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 25 Stück (geliefert in Stange)*
75,85 €
(ohne MwSt.)
90,25 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 27. Oktober 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 25 - 45 | 3,034 € |
| 50 - 120 | 2,806 € |
| 125 - 245 | 2,616 € |
| 250 + | 2,426 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 110-9099P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R190P6FKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 190mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 151W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 37nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30V, +30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 16.13mm | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Breite | 5.21mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 190mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 151W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 37nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30V, +30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 16.13mm | ||
Höhe 21.1mm | ||
Breite 5.21mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET Infineon Serie CoolMOS™E6/P6
MOSFETs der Serie Infineon CoolMOS™ E6 und P6. Diese äußerst effizienten Geräte können in verschiedenen Anwendungen wie der Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Beleuchtung und Verbrauchergeräten sowie für Solartechnik, Telekommunikation und Server verwendet werden.
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.