STMicroelectronics MDmesh DM2 STP43N60DM2 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 34 A 250 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
111-6478
Herst. Teile-Nr.:
STP43N60DM2
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

34 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

93 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

5V

Gate-Schwellenspannung min.

3V

Verlustleistung max.

250 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.6mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

60 nC @ 10 V

Länge

10.4mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

15.75mm

Serie

MDmesh DM2

Diodendurchschlagsspannung

1.6V

Betriebstemperatur min.

–55 °C