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onsemi NTLJD3119CTBG N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4,1 A; 4,6 A 2,3 W, 6-Pin WDFN

RS Best.-Nr.:: 121-6306
Herst. Teile-Nr.:: NTLJD3119CTBG
Marke:: onsemi

onsemi NTLJD3119CTBG N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4,1 A; 4,6 A 2,3 W, 6-Pin WDFN

Voraussichtlich ab 13.11.2024 verfügbar.

Nicht als Expresslieferung erhältlich

Preis pro Stück (Auf einer Rolle von 3000)

0,289 €

(ohne MwSt.)

0,344 €

(inkl. MwSt.)

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
3000 +	0,289 €	867,00 €

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RS Best.-Nr.:: 121-6306
Herst. Teile-Nr.:: NTLJD3119CTBG
Marke:: onsemi

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Rechtliche Anforderungen

Ursprungsland:: MY

Produktdetails

Dual-N/P-Kanal-MOSFET, ON Semiconductor

Der NTJD1155L ist ein Zweikanal-MOSFET. Dieser MOSFET verfügt über P- und N-Kanäle in einem einzigen Gehäuse und ist hervorragend für niedrige Steuersignale, niedrige Batteriespannungen und hohe Lastströme geeignet. Der N-Kanal verfügt über einen internen ESD-Schutz und kann von Logiksignalen bis zu 1,5 V angesteuert werden, während der P-Kanal für den Einsatz in Lastschaltanwendungen konzipiert ist. Der P-Kanal wurde auch mit der Trench-Technologie von ON semi entwickelt.

MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N, P
Dauer-Drainstrom max.	4,1 A; 4,6 A
Drain-Source-Spannung max.	20 V
Gehäusegröße	WDFN
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	6
Drain-Source-Widerstand max.	120 mΩ, 200 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1V
Verlustleistung max.	2,3 W
Transistor-Konfiguration	Isoliert
Gate-Source Spannung max.	–8 V, +8 V
Breite	2mm
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Gate-Ladung typ. @ Vgs	3,7 nC @ 4,5 V, 5,5 nC @ 4,5 V
Länge	2mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	0.75mm