onsemi NTLJD3119CTBG N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4,1 A; 4,6 A 2,3 W, 6-Pin WDFN

RS Best.-Nr.:: 121-6306
Herst. Teile-Nr.:: NTLJD3119CTBG
Marke:: onsemi

onsemi NTLJD3119CTBG N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4,1 A; 4,6 A 2,3 W, 6-Pin WDFN

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RS Best.-Nr.:: 121-6306
Herst. Teile-Nr.:: NTLJD3119CTBG
Marke:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N, P
Dauer-Drainstrom max.	4,1 A; 4,6 A
Drain-Source-Spannung max.	20 V
Gehäusegröße	WDFN
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	6
Drain-Source-Widerstand max.	120 mΩ, 200 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	1V
Verlustleistung max.	2,3 W
Transistor-Konfiguration	Isoliert
Gate-Source Spannung max.	–8 V, +8 V
Länge	2mm
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Breite	2mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	3,7 nC @ 4,5 V, 5,5 nC @ 4,5 V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	0.75mm

onsemi NTLJD3119CTBG N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4,1 A; 4,6 A 2,3 W, 6-Pin WDFN

Dual-N/P-Kanal-MOSFET, ON Semiconductor

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