onsemi NTTFS5116PL Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 20 A 40 W, 8-Pin WDFN

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onsemi NTTFS5116PL Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 20 A 40 W, 8-Pin WDFN
RS Best.-Nr.
780-4786

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RS Best.-Nr.:
121-6310
Herst. Teile-Nr.:
NTTFS5116PLTAG
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

NTTFS5116PL

Gehäusegröße

WDFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

72mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

-20, +20V

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

40W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

3.15mm

Höhe

0.75mm

Breite

3.15mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY

P-Kanal Leistungs-MOSFET, 30 V bis 500 V, ON Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor


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