Renesas Electronics P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 10 A 20 W, 3-Pin DPAK-L
- RS Best.-Nr.:
- 121-6880
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SJ529L-E
- Marke:
- Renesas Electronics
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 121-6880
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SJ529L-E
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 10 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | DPAK-L | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 240 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 20 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 2.3mm | |
| Länge | 6.5mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Höhe | 7.2mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 10 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße DPAK-L | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 240 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 20 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 2.3mm | ||
Länge 6.5mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||
Höhe 7.2mm | ||
- Ursprungsland:
- MY
P-Kanal-MOSFET, Renesas Electronics (NEC)
MOSFET-Transistoren, Renesas Electronics (NEC)