DiodesZetex DMG6602SVT-7 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2,1 A; 3,4 A 1,27 W, 6-Pin TSOT-26

RS Best.-Nr.:: 121-9598
Herst. Teile-Nr.:: DMG6602SVT-7
Marke:: DiodesZetex

DiodesZetex DMG6602SVT-7 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2,1 A; 3,4 A 1,27 W, 6-Pin TSOT-26

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RS Best.-Nr.:: 121-9598
Herst. Teile-Nr.:: DMG6602SVT-7
Marke:: DiodesZetex

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N, P
Dauer-Drainstrom max.	2,1 A; 3,4 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	TSOT-26
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	6
Drain-Source-Widerstand max.	100 mΩ, 140 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3V
Verlustleistung max.	1,27 W
Transistor-Konfiguration	Isoliert
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff	Si
Anzahl der Elemente pro Chip	2
Breite	1.6mm
Länge	2.9mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	7 nC @ 10 V, 9 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Höhe	0.9mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C

DiodesZetex DMG6602SVT-7 N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2,1 A; 3,4 A 1,27 W, 6-Pin TSOT-26

Zweifacher N/P-Kanal-MOSFET, Diodes Inc.

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