DiodesZetex DMN4800LSS-13 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8,6 A 1,46 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 122-0220
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN4800LSS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
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- DMN4800LSS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 8,6 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 20 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.6V | |
| Verlustleistung max. | 1,46 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V | |
| Breite | 3.95mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 8,7 nC bei 5 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 4.95mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Höhe | 0.25mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 8,6 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 20 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.6V | ||
Verlustleistung max. 1,46 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V | ||
Breite 3.95mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 8,7 nC bei 5 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 4.95mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Höhe 0.25mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN