- RS Best.-Nr.:
- 122-1262
- Herst. Teile-Nr.:
- ZVN4525E6TA
- Marke:
- DiodesZetex
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
N-Kanal-MOSFET, 100 V bis 950 V, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 230 mA |
Drain-Source-Spannung max. | 250 V |
Gehäusegröße | SOT-23 |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 6 |
Drain-Source-Widerstand max. | 9,5 Ω |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 1.8V |
Verlustleistung max. | 1,1 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -40 V, +40 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Breite | 1.75mm |
Transistor-Werkstoff | Si |
Betriebstemperatur max. | +150 °C |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 2,6 nC @ 10 V |
Länge | 3mm |
Höhe | 1.3mm |
Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 122-1262
- Herst. Teile-Nr.:
- ZVN4525E6TA
- Marke:
- DiodesZetex
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