DiodesZetex ZXMC10A816N8TC N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 100 V / 2,3 A; 2,4 A 2,4 W, 2,6 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 122-1422
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMC10A816N8TC
- Marke:
- DiodesZetex
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- ZXMC10A816N8TC
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Channel-Typ | N, P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2,3 A; 2,4 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 300 mΩ, 320 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Verlustleistung max. | 2,4 W, 2,6 W | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Breite | 4mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 5mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 9,2 nC @ 10 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Channel-Typ N, P | ||
Dauer-Drainstrom max. 2,3 A; 2,4 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 300 mΩ, 320 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Verlustleistung max. 2,4 W, 2,6 W | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Breite 4mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 5mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 9,2 nC @ 10 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Höhe 1.5mm | ||
- Ursprungsland:
- CN