Infineon StrongIRFET IRF60R217 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 58 A 83 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
123-6145
Herst. Teile-Nr.:
IRF60R217
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

58 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

DPAK (TO-252)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

9,9 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.7V

Gate-Schwellenspannung min.

2.1V

Verlustleistung max.

83 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Breite

6.73mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

7.49mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

40 nC @ 10 V

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Serie

StrongIRFET

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

2.39mm