Infineon StrongIRFET IRL60SL216 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 298 A 375 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
123-6147
Herst. Teile-Nr.:
IRL60SL216
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

298 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Gehäusegröße

I2PAK (TO-262)

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

2,2 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.4V

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

375 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.83mm

Länge

10.67mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

170 nC bei 4,5 V

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Höhe

11.3mm

Serie

StrongIRFET

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Betriebstemperatur min.

–55 °C