STMicroelectronics MDmesh M2 STFH13N60M2 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11 A 25 W, 3-Pin TO-220FP

Marke

STMicroelectronics

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

11 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Gehäusegröße

TO-220FP

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

380 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

25 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

–25 V, +25 V

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

4.8mm

Länge

11.1mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Gate-Ladung typ. @ Vgs

17 nC @ 10 V

Höhe

16.2mm

Diodendurchschlagsspannung

1.6V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

MDmesh M2