onsemi PowerTrench P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 7 A 2,2 W, 800 mW, 6-Pin MicroFET 2 x 2

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RS Best.-Nr.:
124-1433
Herst. Teile-Nr.:
FDMB2308PZ
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

7 A

Drain-Source-Spannung max.

20 V

Gehäusegröße

MicroFET 2 x 2

Serie

PowerTrench

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand max.

50 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

0.6V

Verlustleistung max.

2,2 W, 800 mW

Transistor-Konfiguration

Gemeinsamer Drain

Gate-Source Spannung max.

-12 V, +12 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

22 nC @ 4,5 V

Länge

3mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

2mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Höhe

0.725mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C