onsemi UltraFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 10.6 A 2.5 W, 8-Pin MLP

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

5.154,00 €

(ohne MwSt.)

6.132,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 3.000 Einheit(en) mit Versand ab 09. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +1,718 €5.154,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
124-1701
Herst. Teile-Nr.:
FDMS5672
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

UltraFET

Gehäusegröße

MLP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

32nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5mm

Höhe

0.75mm

Breite

6 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor


UltraFET® Trench-MOSFETs kombinieren Eigenschaften, die eine richtungsweisende Effizienz in der Leistungsumwandlung ermöglichen. Das Gerät hält im Stoßentladungsmodus einer hohen Energielast stand, und die Diode zeichnet sich durch eine sehr niedrige Umkehr-Erholzeit und gespeicherte Ladung aus. Optimiert für Effizienz bei hohen Frequenzen, niedrigste RDS(ein), niedriger ESR und niedrige Gesamt- und Miller-Gate-Ladung.

Anwendungen: DC/DC-Hochfrequenzwandler , Schaltregler, Motorantriebe, Niedrigspannungs-Busschalter und Stromüberwachung.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links