Fairchild Semiconductor PowerTrench N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 17 A 310 W, 3-Pin TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 124-1747
- Herst. Teile-Nr.:
- FDP038AN06A0
- Marke:
- Fairchild Semiconductor
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 2,486 € | 124,30 € |
| 250 - 450 | 2,26 € | 113,00 € |
| 500 + | 2,072 € | 103,60 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 124-1747
- Herst. Teile-Nr.:
- FDP038AN06A0
- Marke:
- Fairchild Semiconductor
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Fairchild Semiconductor | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 17 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | TO-220AB | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 4 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 310 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Breite | 4.83mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 96 nC @ 10 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Länge | 10.67mm | |
| Höhe | 9.65mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Fairchild Semiconductor | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 17 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße TO-220AB | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 4 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 310 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Breite 4.83mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 96 nC @ 10 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Länge 10.67mm | ||
Höhe 9.65mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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