Fairchild Semiconductor PowerTrench N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 17 A 310 W, 3-Pin TO-220AB

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RS Best.-Nr.:
124-1747
Herst. Teile-Nr.:
FDP038AN06A0
Marke:
Fairchild Semiconductor
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Marke

Fairchild Semiconductor

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

17 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

TO-220AB

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

4 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

310 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Si

Länge

10.67mm

Breite

4.83mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

96 nC @ 10 V

Höhe

9.65mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor



MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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