Renesas Electronics N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 3 A 80 W, 3 + Tab-Pin TO-3P
- RS Best.-Nr.:
- 124-3649
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK1339-E
- Marke:
- Renesas Electronics
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- RS Best.-Nr.:
- 124-3649
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- 2SK1339-E
- Marke:
- Renesas Electronics
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 3 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 900 V | |
| Gehäusegröße | TO-3P | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 + Tab | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 7 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 80 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Breite | 4.8mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 15.6mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Diodendurchschlagsspannung | 0.9V | |
| Höhe | 19.9mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 3 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 900 V | ||
Gehäusegröße TO-3P | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 + Tab | ||
Drain-Source-Widerstand max. 7 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 80 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Breite 4.8mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 15.6mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Diodendurchschlagsspannung 0.9V | ||
Höhe 19.9mm | ||
- Ursprungsland:
- JP
N-Kanal-MOSFETs mit hoher Spannung, 150 V und mehr, Renesas Electronics
MOSFET-Transistoren, Renesas Electronics (NEC)