onsemi NTMFS4841NHTG N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 59 A 41,7 W, 8-Pin SO-8FL
- RS Best.-Nr.:
- 124-5408
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS4841NHT1G
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 124-5408
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS4841NHT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 59 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | SO-8FL | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 11,6 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V | |
| Verlustleistung max. | 41,7 W | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Breite | 6.1mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 11,3 nC @ 4,5 V, 24,4 nC @ 11,5 V | |
| Länge | 5.1mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 59 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße SO-8FL | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 11,6 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V | ||
Verlustleistung max. 41,7 W | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Breite 6.1mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 11,3 nC @ 4,5 V, 24,4 nC @ 11,5 V | ||
Länge 5.1mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Höhe 1.1mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- MY