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Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
ROHM SCT2080KE SCT2080KEC N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 40 A 262 W, 3-Pin TO-247
RS Best.-Nr.:
124-6851
Herst. Teile-Nr.:
SCT2080KEC
Marke:
ROHM
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RS Best.-Nr.:
124-6851
Herst. Teile-Nr.:
SCT2080KEC
Marke:
ROHM
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Technische Daten
SCT2080KE, N-Channel SiC Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Konformitätserklärung
Ursprungsland:
PH
MOSFET-Transistoren, ROHM Semiconductor
Eigenschaft
Wert
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
40 A
Drain-Source-Spannung max.
1200 V
Gehäusegröße
TO-247
Serie
SCT2080KE
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
3
Drain-Source-Widerstand max.
125 mΩ
Channel-Modus
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.
4V
Gate-Schwellenspannung min.
1.6V
Verlustleistung max.
262 W
Gate-Source Spannung max.
-6 V, +22 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs
106 nC @ 18 V
Länge
20.95mm
Transistor-Werkstoff
SiC
Betriebstemperatur max.
+175 °C
Breite
15.9mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Höhe
5.03mm
Diodendurchschlagsspannung
4.6V