ROHM SCT2120AF N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 29 A 165 W, 3-Pin TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 124-6852
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT2120AFC
- Marke:
- ROHM
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 124-6852
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT2120AFC
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 29 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Gehäusegröße | TO-220AB | |
| Serie | SCT2120AF | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 156 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.6V | |
| Verlustleistung max. | 165 W | |
| Gate-Source Spannung max. | -6 V, +22 V | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 61 nC @ 18 V | |
| Länge | 10.26mm | |
| Transistor-Werkstoff | SiC | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 8.63mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 4.3V | |
| Höhe | 4.45mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 29 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Gehäusegröße TO-220AB | ||
Serie SCT2120AF | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 156 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.6V | ||
Verlustleistung max. 165 W | ||
Gate-Source Spannung max. -6 V, +22 V | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 61 nC @ 18 V | ||
Länge 10.26mm | ||
Transistor-Werkstoff SiC | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 8.63mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 4.3V | ||
Höhe 4.45mm | ||
- Ursprungsland:
- PH