ROHM SCT2160KE N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 22 A 165 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 124-6853
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT2160KEC
- Marke:
- ROHM
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 124-6853
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT2160KEC
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 22 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 1200 V | |
| Serie | SCT2160KE | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 226 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1.6V | |
| Verlustleistung max. | 165 W | |
| Gate-Source Spannung max. | -6 V, +22 V | |
| Breite | 15.9mm | |
| Transistor-Werkstoff | SiC | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 62 nC @ 18 V | |
| Länge | 20.95mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Diodendurchschlagsspannung | 4.1V | |
| Höhe | 5.03mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 22 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 1200 V | ||
Serie SCT2160KE | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 226 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 1.6V | ||
Verlustleistung max. 165 W | ||
Gate-Source Spannung max. -6 V, +22 V | ||
Breite 15.9mm | ||
Transistor-Werkstoff SiC | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 62 nC @ 18 V | ||
Länge 20.95mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Diodendurchschlagsspannung 4.1V | ||
Höhe 5.03mm | ||
- Ursprungsland:
- PH