Infineon OptiMOS 3 IPB042N10N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 100 A 214 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
124-8768
Herst. Teile-Nr.:
IPB042N10N3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

100 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

7,4 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

214 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Transistor-Werkstoff

Si

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

10.31mm

Breite

9.45mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

88 nC bei 10 V

Höhe

4.57mm

Serie

OptiMOS 3

Betriebstemperatur min.

–55 °C

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN