Infineon CoolMOS C3 SPW55N80C3FKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 55 A 500 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 124-8814
- Herst. Teile-Nr.:
- SPW55N80C3FKSA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 124-8814
- Herst. Teile-Nr.:
- SPW55N80C3FKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 55 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 850 V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 85 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Verlustleistung max. | 500 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Länge | 16.13mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 288 nC bei 10 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Breite | 21.1mm | |
| Höhe | 5.21mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 0.95V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Serie | CoolMOS C3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 55 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 850 V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 85 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Verlustleistung max. 500 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Länge 16.13mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 288 nC bei 10 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Breite 21.1mm | ||
Höhe 5.21mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 0.95V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Serie CoolMOS C3 | ||
- Ursprungsland:
- CN