Infineon HEXFET IRFB4127PBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 76 A 375 W, 3-Pin TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 124-9006
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4127PBF
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 124-9006
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4127PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 76 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 200 V | |
| Gehäusegröße | TO-220AB | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 20 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Verlustleistung max. | 375 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Breite | 4.83mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 10.67mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 100 nC @ 10 V | |
| Serie | HEXFET | |
| Höhe | 9.02mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 76 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 200 V | ||
Gehäusegröße TO-220AB | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 20 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Verlustleistung max. 375 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Breite 4.83mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 10.67mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 100 nC @ 10 V | ||
Serie HEXFET | ||
Höhe 9.02mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- MX
Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio deckt sich mit einer Vielzahl von Anwendungen ab, einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.
Stromversorgung per Durchgangsbohrung nach Industriestandard
Hoher Nennstrom
Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard
Silizium-Optimierung für nachfolgende Schaltanwendungen <100 kHz
Weichere Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation
Breitgefächertes Angebot