Infineon OptiMOS 3 IPB038N12N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 120 V / 120 A 300 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
124-9043
Herst. Teile-Nr.:
IPB038N12N3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

120 A

Drain-Source-Spannung max.

120 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

4,1 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

300 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Gate-Ladung typ. @ Vgs

158 nC @ 10 V

Länge

10.31mm

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

9.45mm

Höhe

4.57mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Serie

OptiMOS 3

Ursprungsland:
DE