onsemi 2SK3745LS-1E N-Kanal, THT MOSFET 1500 V / 2 A 35 W, 3-Pin TO-220F
- RS Best.-Nr.:
- 124-9945
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK3745LS-1E
- Marke:
- ON Semiconductor
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Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
131,85 €
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 2,637 € | 131,85 € |
| 250 - 450 | 2,57 € | 128,50 € |
| 500 + | 2,505 € | 125,25 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 124-9945
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SK3745LS-1E
- Marke:
- ON Semiconductor
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ON Semiconductor | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 2 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 1500 V | |
| Gehäusegröße | TO-220F | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 13 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V | |
| Verlustleistung max. | 35 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 4.7mm | |
| Länge | 10.16mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 37,5 nC @ 10 V | |
| Höhe | 15.87mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ON Semiconductor | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 2 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 1500 V | ||
Gehäusegröße TO-220F | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 13 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.5V | ||
Verlustleistung max. 35 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 4.7mm | ||
Länge 10.16mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 37,5 nC @ 10 V | ||
Höhe 15.87mm | ||
- Ursprungsland:
- KR