Toshiba U-MOSVIII-H N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 207 A 255 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 125-0530
- Herst. Teile-Nr.:
- TK100E10N1,S1X(S
- Marke:
- Toshiba
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- TK100E10N1,S1X(S
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- Toshiba
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 207 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | U-MOSVIII-H | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 3,4 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 255 W | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Länge | 10.16mm | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 140 nC @ 10 V | |
| Breite | 4.45mm | |
| Höhe | 15.1mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 207 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie U-MOSVIII-H | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 3,4 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 255 W | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Länge 10.16mm | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 140 nC @ 10 V | ||
Breite 4.45mm | ||
Höhe 15.1mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||