Toshiba U-MOSVIII-H N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 80 A 103 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
125-0576
Herst. Teile-Nr.:
TK46E08N1,S1X(S
Marke:
Toshiba
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Marke

Toshiba

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

80 A

Drain-Source-Spannung max.

80 V

Serie

U-MOSVIII-H

Gehäusegröße

TO-220

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

8,4 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Verlustleistung max.

103 W

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gate-Ladung typ. @ Vgs

37 nC @ 10 V

Länge

10.16mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

4.45mm

Diodendurchschlagsspannung

1.2V

Höhe

15.1mm