IXYS Polar HiPerFET IXFN44N100P N-Kanal, SMD MOSFET 1000 V / 37 A 890 W, 4-Pin SOT-227B
- RS Best.-Nr.:
- 125-8044
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFN44N100P
- Marke:
- IXYS
Nicht verfügbar
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- Marke:
- IXYS
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | IXYS | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 37 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 1000 V | |
| Gehäusegröße | SOT-227B | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 220 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 6.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3.5V | |
| Verlustleistung max. | 890 W | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Länge | 38.23mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 25.07mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 305 nC @ 10 V | |
| Höhe | 9.6mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.5V | |
| Serie | Polar HiPerFET | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke IXYS | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 37 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 1000 V | ||
Gehäusegröße SOT-227B | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 220 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 6.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3.5V | ||
Verlustleistung max. 890 W | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Länge 38.23mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 25.07mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 305 nC @ 10 V | ||
Höhe 9.6mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.5V | ||
Serie Polar HiPerFET | ||
- Ursprungsland:
- PH