Infineon CoolMOS CE N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 550 V / 14.1 A 98 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 130-0897P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50R380CEAUMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|
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- IPD50R380CEAUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 14.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 550V | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 380mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 98W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24.8nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30V, +30V | |
| Durchlassspannung Vf | 850mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 6.22mm | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 550V | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 380mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 98W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24.8nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30V, +30V | ||
Durchlassspannung Vf 850mV | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 6.22mm | ||
Höhe 2.41mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
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