Infineon CoolMOS P6 IPD60R380P6ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 10,6 A 83 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 130-0899
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R380P6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,548 € | 12,74 € |
| 50 - 95 | 2,024 € | 10,12 € |
| 100 - 495 | 1,566 € | 7,83 € |
| 500 - 995 | 1,404 € | 7,02 € |
| 1000 + | 1,374 € | 6,87 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 130-0899
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R380P6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 10,6 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 380 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3.5V | |
| Verlustleistung max. | 83 W | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Breite | 6.22mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| Länge | 6.73mm | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Serie | CoolMOS P6 | |
| Diodendurchschlagsspannung | 0.9V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 10,6 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 380 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3.5V | ||
Verlustleistung max. 83 W | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Breite 6.22mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 19 nC @ 10 V | ||
Länge 6.73mm | ||
Höhe 2.41mm | ||
Serie CoolMOS P6 | ||
Diodendurchschlagsspannung 0.9V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||