Infineon CoolMOS™ CE Typ N-Kanal 1, SMD MOSFET 650 V Erweiterung / 8.4 A, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 130-0902
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R800CEAUMA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
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- 130-0902
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R800CEAUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS™ CE | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 800mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie CoolMOS™ CE | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 800mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.41mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Infineon CoolMOSTM CE Leistungs-MOSFET
MOSFET-Transistoren, Infineon
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