Infineon CoolMOS™ CE Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 650 V Erweiterung / 8.4 A, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 130-0902
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R800CEAUMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 130-0902
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R800CEAUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | CoolMOS™ CE | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 800mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30, -30V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Breite | 6.22mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie CoolMOS™ CE | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 800mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30, -30V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.41mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Breite 6.22mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Infineon CoolMOSTM CE Leistungs-MOSFET
MOSFET-Transistoren, Infineon
Infineon bietet ein großes und umfassendes Portfolio an MOSFET-Geräten, das die Familien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET umfasst. Sie bieten die beste Leistung in ihrer Klasse für mehr Effizienz, Leistungsdichte und Kosteneffizienz. Designs, die eine hohe Qualität und verbesserte Schutzfunktionen erfordern, profitieren von AEC-Q101-Kfz-qualifizierten MOSFETs nach Industriestandard.