Infineon CoolMOS CE IPI70R950CEXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 750 V / 7,4 A 68 W, 3-Pin I2PAK (TO-262)
- RS Best.-Nr.:
- 130-0910
- Herst. Teile-Nr.:
- IPI70R950CEXKSA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 130-0910
- Herst. Teile-Nr.:
- IPI70R950CEXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 7,4 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 750 V | |
| Gehäusegröße | I2PAK (TO-262) | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 950 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.5V | |
| Verlustleistung max. | 68 W | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 10.36mm | |
| Breite | 4.57mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 15,3 nC @ 10 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Höhe | 9.45mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 0.9V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 7,4 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 750 V | ||
Gehäusegröße I2PAK (TO-262) | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 950 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.5V | ||
Verlustleistung max. 68 W | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 10.36mm | ||
Breite 4.57mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 15,3 nC @ 10 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Höhe 9.45mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 0.9V | ||