Infineon CoolMOS CE IPN50R800CEATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 550 V / 7,6 A 5 W, 3 + Tab-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 130-0915
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN50R800CEATMA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
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- IPN50R800CEATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 7,6 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 550 V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 + Tab | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 800 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.5V | |
| Verlustleistung max. | 5 W | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Länge | 6.7mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 12,4 nC @ 10 V | |
| Breite | 3.7mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 0.83V | |
| Höhe | 1.7mm | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Betriebstemperatur min. | –40 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 7,6 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 550 V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 + Tab | ||
Drain-Source-Widerstand max. 800 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.5V | ||
Verlustleistung max. 5 W | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Länge 6.7mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 12,4 nC @ 10 V | ||
Breite 3.7mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 0.83V | ||
Höhe 1.7mm | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Betriebstemperatur min. –40 °C | ||