Infineon CoolMOS CE IPN60R2K1CEATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 3,7 A 5 W, 3 + Tab-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
130-0919
Herst. Teile-Nr.:
IPN60R2K1CEATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

3,7 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

SOT-223

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3 + Tab

Drain-Source-Widerstand max.

2,1 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Gate-Schwellenspannung min.

2.5V

Verlustleistung max.

5 W

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Breite

3.7mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

6,7 nC @ 10 V

Länge

6.7mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

1.7mm

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Serie

CoolMOS CE

Diodendurchschlagsspannung

0.9V