Infineon HEXFET IRF135SA204 N-Kanal, SMD MOSFET 135 V / 160 A 500 W, 7 + Tab-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 130-0938
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF135SA204
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | 8,13 € |
| 10 - 49 | 6,91 € |
| 50 - 249 | 6,56 € |
| 250 - 499 | 5,68 € |
| 500 + | 5,11 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 130-0938
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF135SA204
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 160 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 135 V | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 7 + Tab | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 5,9 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 500 W | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Breite | 4.83mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Länge | 10.54mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 210 nC @ 10 V | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.3V | |
| Höhe | 9.65mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Serie | HEXFET | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 160 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 135 V | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 7 + Tab | ||
Drain-Source-Widerstand max. 5,9 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 500 W | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Breite 4.83mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Länge 10.54mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 210 nC @ 10 V | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.3V | ||
Höhe 9.65mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Serie HEXFET | ||