Infineon DirectFET IRF60DM206 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 130 A 96 W, 6 + Tab-Pin ME
- RS Best.-Nr.:
- 130-0945
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF60DM206
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 130-0945
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF60DM206
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 130 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | ME | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 6 + Tab | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 2,9 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.7V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.1V | |
| Verlustleistung max. | 96 W | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Länge | 6.35mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 133 nC @ 10 V | |
| Breite | 5.05mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Serie | DirectFET | |
| Höhe | 0.53mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.2V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 130 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße ME | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 6 + Tab | ||
Drain-Source-Widerstand max. 2,9 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.7V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2.1V | ||
Verlustleistung max. 96 W | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Länge 6.35mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 133 nC @ 10 V | ||
Breite 5.05mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Serie DirectFET | ||
Höhe 0.53mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.2V | ||