Infineon DirectFET, HEXFET IRF7739L1TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 270 A 125 W, 9 + Tab-Pin L8
- RS Best.-Nr.:
- 130-0953
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7739L1TRPBF
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
7,03 €
(ohne MwSt.)
8,366 €
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 3,515 € | 7,03 € |
| 10 - 98 | 2,99 € | 5,98 € |
| 100 - 498 | 2,585 € | 5,17 € |
| 500 - 998 | 2,21 € | 4,42 € |
| 1000 + | 2,08 € | 4,16 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 130-0953
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7739L1TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 270 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V | |
| Gehäusegröße | L8 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 9 + Tab | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2V | |
| Verlustleistung max. | 125 W | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 7.1mm | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Länge | 9.15mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 220 nC @ 10 V | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.3V | |
| Höhe | 0.57mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Serie | DirectFET, HEXFET | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 270 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 40 V | ||
Gehäusegröße L8 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 9 + Tab | ||
Drain-Source-Widerstand max. 1 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 2V | ||
Verlustleistung max. 125 W | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 7.1mm | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Länge 9.15mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 220 nC @ 10 V | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.3V | ||
Höhe 0.57mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Serie DirectFET, HEXFET | ||