Infineon DirectFET, HEXFET IRF7779L2TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 67 A 125 W, 9 + Tab-Pin L8
- RS Best.-Nr.:
- 130-0957
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7779L2TRPBF
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 130-0957
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7779L2TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 67 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 150 V | |
| Gehäusegröße | L8 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 9 + Tab | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 11 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V | |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V | |
| Verlustleistung max. | 125 W | |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C | |
| Breite | 7.1mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 97 nC @ 10 V | |
| Länge | 9.15mm | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Serie | DirectFET, HEXFET | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.3V | |
| Höhe | 0.52mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 67 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 150 V | ||
Gehäusegröße L8 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 9 + Tab | ||
Drain-Source-Widerstand max. 11 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5V | ||
Gate-Schwellenspannung min. 3V | ||
Verlustleistung max. 125 W | ||
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Betriebstemperatur max. +175 °C | ||
Breite 7.1mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 97 nC @ 10 V | ||
Länge 9.15mm | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
Serie DirectFET, HEXFET | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.3V | ||
Höhe 0.52mm | ||