Infineon HEXFET IRFH5015TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 44 A 156 W, 8-Pin PQFN 5 x 6

RS Best.-Nr.:: 130-0975
Herst. Teile-Nr.:: IRFH5015TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET IRFH5015TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 44 A 156 W, 8-Pin PQFN 5 x 6

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Produktdetails

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 150 V bis 600 V, Infineon

Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	44 A
Drain-Source-Spannung max.	150 V
Serie	HEXFET
Gehäusegröße	PQFN 5 x 6
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	31 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Gate-Schwellenspannung min.	3V
Verlustleistung max.	156 W
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	36 nC @ 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	5mm
Länge	6mm
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	0.85mm
Diodendurchschlagsspannung	1.3V